受到众多买家竞购东芝存储器业务的影响,近段时间以来东芝公司的媒体曝光率极高。如果抛去对于东芝存储器业务将花落谁家的纷扰猜测,将目光对准市场与产品技术,可以发现近年来东芝公司除去存储器之外,仍有不少值得推介的新品。

  受到众多买家竞购东芝存储器业务的影响,近段时间以来东芝公司的媒体曝光率极高。如果抛去对于东芝存储器业务将花落谁家的纷扰猜测,将目光对准市场与产品技术,可以发现近年来东芝公司除去存储器之外,仍有不少值得推介的新品。

  目前全球半导体厂商都十分关注自动驾驶技术的发展。根据相关预测,到2020年,自动驾驶或者装载自动驾驶辅助技术的汽车保有量将达到1亿辆,另有预测指出,到2025年其产值将高达420亿美元。这使得越来越多芯片厂商开始重视这块市场。

  不过,目前的自动驾驶系统仍然很不成熟,车厂现阶段为了提升新款车型的安全性和功能性,仍以加载ADAS系统辅助驾驶为主。未来通过ADAS系统进行数据采集,然后交由具有人工智能的处理器进行深度学习,最终实现自动驾驶功能。

  基于此,在日前召开的“2017上海慕尼黑电子展”上,东芝展示了用于ADAS图像传感领域的芯片VisconTI系列,除具有高水准的图像识别能力外,产品功耗也很低。在“2016年上海慕尼黑电子展”上,东芝展示了该系列的第二代VisconTI2,产品已于2015年量产,目前中国市场上亦有厂商采用进行产品开发。而在本届展会上东芝则展示了更新一代的VisconTI4。

  根据东芝电子(中国)有限公司副总经理野村尚司的介绍,VisconTI4与前代产品最大的不同在于增强了夜晚和低光照情况下对行人与车辆的识别能力。芯片中集成的多媒体处理器由原来的四核增加到八核,同时增加了更多的算法和图像硬件加速器,处理性能明显提升,能够同时实现八种ADAS识别,包括车道偏离警告、前方碰撞警告、后方碰撞警告、前方行人碰撞警告、后方行人碰撞警告、交通标示、车线/信号灯、远光灯辅助等。

  东芝电子(中国)有限公司 中国汽车行业市场部副总监谭弘表示,目前中国市场上已有厂商采用Visconti2进行产品开发,未来Visconti4也将面向中国市场进行销售。

  此外,东芝还透露正在开发下一代的Visconti系列,新产品将加入深度学习等功能,逐步使车辆实现由辅助驾驶向自动驾驶转变。

  东芝最具代表性的产品仍是存储器。展会上东芝推出了最新64层的3D NAND,命名为BiCS Flash。东芝表示,3D NAND具有更快的编程速度,更高的容量、更多的擦写次数、更低的单位成本、更小的尺寸与低功耗等性能。根据野村尚司的介绍,东芝新一代64层BiCS Flash的样品已于2017年2月出货。该产品结合了TLC技术,实现了512GB的容量。

  针对3D NAND的市场,东芝表示将主要面向移动智能设备、汽车电子以及企业级SSD等几大市场。“移动互联网里面所用的闪存产品主要是以智能手机、平板电脑为主,目前已经扩展到汽车电子、机顶盒等领域。随着车载娱乐系统包括车联网以及ADAS的普及,汽车中采用的Memory也越来越多,预计到2020年整个车载的Memory使用量会大幅增加。此外,随着PC出货量的减少,HDD市场份额整体量会减少,东芝将向数据中心服务器用SSD产品拓展。”野村尚司表示。

  去年年底,蓝牙技术联盟正式宣布推出了新一代核心规格版本“蓝牙5”(Bluetooth 5)。作为跨代际的版本升级,与以往“.X”的版本升级不同,“蓝牙5”不仅需要硬件上的更新,产品性能也有更大改善,包括更长的传输距离、更快的传输速度、更大的广播数据传输量等,目标则对准物联网应用的广阔市场。

  目前,“蓝牙5”的发展成为业界热点之一。IC Insights数据显示,2015年全球具备联网及感测系统功能的物联网整体产值约577亿美元,同比增长19%,到2018年规模可望达到1036亿美元。物联网的发展前景被各方所看好,并积极布局。而在蓝牙芯片成为智能手机标配之后,越来越多蓝牙设备被开发出来,如键盘、鼠标、耳机、音响等。然而,蓝牙的发展并非没有困境。基于技术特点,蓝牙的数据传输缓慢,在大数据量时代,如果有其他选择,人们一般不会使用蓝牙传大文件;传输距离短,用户往往从一个房间走到另一个房间,连接就会出问题,加上设备连接不甚稳定,掉线相对频繁,也是蓝牙设备常被诟病的问题。有业者指出,在未来与WiFi、Zigbee等技术标准的竞争中,蓝牙需要开发新的应用领域,改善用户体验,扩大消费者的使用频率。物联网正是蓝牙瞄准的新市场和新应用,比如智能家居。

  野村尚司表示,东芝正就“蓝牙5”标准进行产品开发,预计今年下半年就会有产品推出来。野村尚司认为,蓝牙5适合在智能家居中应用,通过蓝牙把各个终端连接甚至组网,通过手机远程监控。蓝牙5应成为既适合个人终端,又支持组网的最具有性价比的通信方式。

  随着人们绿色节能意识的提高,功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域,向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。特别是IGBT的应用范围十分广泛,成为最重要的功率半导体器件。

  展会上,东芝首次展出了压接式IEGT功率单元方案,模块中集成了4个IEGT元件,单个元件耐压4.5千瓦、1.5kA,用四个元件串联起来能够形成5兆瓦的交流直流变流器。

  野村尚司表示,IEGT是IGBT的加强和升级。传统的IGBT结构所产生的阻断电压,会因为发射极侧N-基区的阻抗,造成较高的导通损耗。东芝基于“栅极注入增强”技术,注册了专用产品名称IEGT,产品可广泛应用到新能源领域的风力发电、电力部门的电力传输等。

  继美光之后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512GB/64GB,TLC。SK海力士透露,闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术。公司将样品提供给controller公司去制作解决方案产品海力士一直在推广96层NANDFlash产品中的4D技术,该产品将电荷阱闪存(CTF)与高集成度Peri相结合,并采用单元(PUC)技术。新的176层NAND闪存是第三代4D产品,从制造上来说,其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。与上一代相比,除了容量增加35%,它采用2分裂单元阵列选择技术后,单元的读取速度比上一代提高了20%,在不增加进程数量的情况下,采用加速技术的数据传输

  +176层,SK Hynix做到了 /

  Intel二代傲腾SSD P5800X:超大容量,速度、延迟秒杀NAND

  )3D NAND固态盘。英特尔固态盘D7-P5510是全球首个推向市场的144层TLC NAND固态盘,而英特尔固态盘D5-P5316则是业内首个采用了144层QLC NAND的数据中心级固态盘。过去十余年间,英特尔始终致力于推动和发展领先的内存和存储技术。秒杀NAND相比于传统NAND闪存,傲腾介质拥有扩展性好、随机性能更佳、延迟超低、寿命超长等特点,尤其适合数据中心这样的应用领域。经过多年发展,Intel傲腾已经形成了庞大稳固的生态圈,云服务商、存储服务商、存储软件商、大型企业等合作伙伴可以拉出一长串名单,包括国内的阿里云、百度云、腾讯云、金山云、青云、平安云、人大金仓、新华三、浪潮

  最近,FeFET初创者FMC获得了包括默克,SK Hynix,IMEC,Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金。在这里,我们采访了该公司的首席执行官Ali Pourkeramati,希望听到他对新型存储FeFET未来发展的看法。Pourkeramati首先是赞扬氧化铪作为铁电材料的特性,该特性也恰好在晶圆代工厂中广泛用作现代IC的绝缘层。他声称铁电场效应晶体管(FeFET)是嵌入式闪存的自然替代品,因为后者难以扩展到28nm以上。Pourkeramati指出,与嵌入式闪存不同,FeFET的耐久性在10 ^ 11周期时很高

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  近日,红米Redmi品牌总经理卢伟冰在微博公布了Redmi Note 9 Pro、Redmi Note 8 Pro两款手机的文件拷贝测试。结果显示,采用UFS2.2闪存的手机大文件拷贝速度比 UFS 2.1手机快三倍。卢伟冰称 UFS 2.2将是 “中端手机性能的又一分水岭”。红米 Note 9 5G 以及Note 9 Pro 是市面上首先采用 UFS 2.2闪存颗粒的手机,尽管没有 UFS 3.0、UFS 3.1规格高,但是写入速度的巨大提升也非常可观。根据微博用户 @数码闲聊站 的实测,Redmi Note 9 Pro顺序读取速度为996.11MB/s,顺序写入速度为499.45MB/s

  将成为中端手机性能的分水岭 /

  3D闪存堆叠技术的应用已经有一段时间了,从2013年8月以来,3D NAND存储器就已经成功地投入了市场。所谓堆叠,像积木一样一层层的堆起来,但是,这种技术并非仅仅只应用在建筑上。科技产品下一个重大突破将在3D闪存芯片堆叠领域出现。以前的2D技术是把NAND闪存颗粒直接平铺在SSD固态硬盘电路板上。后来,厂家为节约成本,节省空间,像建高楼一样,一层又一层地平铺上去,就成为了3D堆叠闪存技术。3D NAND将思路从提高制造工艺转移到了堆叠更多层数,这样就可以兼顾容量、性能和可靠性了。所以,与平面NAND(2D结构)不同,3D NAND类似于垂直摩天大楼,其中水平层的存储器单元被堆叠,然后使用微小的垂直通道连接。

  密度进一步提高 /

  据陕视新闻报道,近日,陕西省2020年重点项目观摩活动举行。其中,在走进西安中,三星12英寸闪存芯片二期项目、西安奕斯伟硅产业基地一期项目等被提及。据介绍,三星12英寸闪存芯片二期项目由三星(中国)半导体有限公司投资建设,总投资1010亿元,新建一条12英寸3D V-NAND生产线年完成全部投资并实现满产。项目全部满产后,三星西安公司闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上,年产值将突破1000亿元,成为陕西省第一家千亿级高科技制造业企业和全球规模最大的闪存芯片生产基地。值得注意的是,三星高端存储芯片二期第一阶段项目在今年3月10日举行产品下线上市仪式。据当时西安

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